Electronic structure of the GaSe/Si (111) ...

Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Electronic structure of the GaSe/Si (111) and InSe/Si (111) heterojunctions
Auteur(s) :
Camara, M.O.D. [Auteur]
Mauger, A. [Auteur]
Devos, I. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015)
Pagination :
205308/1-8
Éditeur :
American Physical Society
Date de publication :
2002
ISSN :
1098-0121
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL