Comparison of the Benefits, From SiO2 to ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
Titre :
Comparison of the Benefits, From SiO2 to Ultralow-K Dielectric and Air Spacing Introduction, in Term of Interconnects Performances, for the Future High Speed Ic's in a Multicoupled Lines System
Auteur(s) :
Ponchel, Freddy [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Legier, Jean-François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Paleczny, Erick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Seguinot, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deschacht, Denis [Auteur]
Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques [SysMIC]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Legier, Jean-François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Paleczny, Erick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Seguinot, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deschacht, Denis [Auteur]
Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques [SysMIC]
Titre de la manifestation scientifique :
11th IEEE Workshop on Signal Propagation on Interconnects, SPI 2007
Ville :
Genova
Pays :
Italie
Date de début de la manifestation scientifique :
2007-05-13
Éditeur :
IEEE
Date de publication :
2007
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :