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0.25 µm fully-depleted SOI MOSFET's for ...
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Document type :
Article dans une revue scientifique
DOI :
10.1016/S0038-1101(01)00120-4
Title :
0.25 µm fully-depleted SOI MOSFET's for RF mixed analog-digital circuits, including a comparison with partially-depleted devices for high frequency noise parameters
Author(s) :
Vanmackelberg, M. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Raynaud, C. [Auteur]
Faynot, O. [Auteur]
Pelloie, J.L. [Auteur]
Tabone, C. [Auteur]
Grouillet, A. [Auteur]
Martin, F. [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Picheta, L. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mackowiak, E. [Auteur]
ST Microélectronics
Llinares, P. [Auteur]
ST Microélectronics
Vanhoenacker, D. [Auteur]
Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain [UCL]
Raskin, J.P. [Auteur]
Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain [UCL]
Journal title :
Solid-State Electronics
Pages :
379-386
Publisher :
Elsevier
Publication date :
2002-03
ISSN :
0038-1101
English keyword(s) :
SOI
MOSFET
Characterization
Microwave
Noise
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
The purpose of this paper is to completely describe the low and high frequency performance including microwave noise parameters of 0.25 μm fully depleted (FD) silicon-on-insulator (SOI) devices and to compare the noise ...
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The purpose of this paper is to completely describe the low and high frequency performance including microwave noise parameters of 0.25 μm fully depleted (FD) silicon-on-insulator (SOI) devices and to compare the noise performance with 0.25 μm partially depleted (PD) devices. These FD devices present a state of the art NFmin of 0.8 dB and high Gass of 13 dB at 6 GHz, at , at 80 μm total gate width. A extrapolated maximum oscillation frequency of about 70 GHz has been obtained at and Jds=100 mA/mm.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
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