• English
    • français
  • Help
  •  | 
  • Contact
  •  | 
  • About
  •  | 
  • Login
  • HAL portal
  •  | 
  • Pages Pro
  • EN
  •  / 
  • FR
View Item 
  •   LillOA Home
  • Liste des unités
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
  • View Item
  •   LillOA Home
  • Liste des unités
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
  • View Item
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

0.25 µm fully-depleted SOI MOSFET's for ...
  • BibTeX
  • CSV
  • Excel
  • RIS

Document type :
Article dans une revue scientifique
Title :
0.25 µm fully-depleted SOI MOSFET's for RF mixed analog-digital circuits, including a comparison with partially-depleted devices for high frequency noise parameters
Author(s) :
Vanmackelberg, M. [Auteur]
Raynaud, C. [Auteur]
Faynot, O. [Auteur]
Pelloie, J.L. [Auteur]
Tabone, C. [Auteur]
Grouillet, A. [Auteur]
Martin, F. [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Picheta, L. [Auteur]
Mackowiak, E. [Auteur]
Llinares, P. [Auteur]
Vanhoenacker, D. [Auteur]
Raskin, J.P. [Auteur]
Journal title :
Solid-State Electronics
Pages :
379-386
Publisher :
Elsevier
Publication date :
2002
ISSN :
0038-1101
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
Université de Lille

Mentions légales
Université de Lille © 2017