0.25 µm fully-depleted SOI MOSFET's for ...
Document type :
Article dans une revue scientifique
Title :
0.25 µm fully-depleted SOI MOSFET's for RF mixed analog-digital circuits, including a comparison with partially-depleted devices for high frequency noise parameters
Author(s) :
Vanmackelberg, M. [Auteur]
Raynaud, C. [Auteur]
Faynot, O. [Auteur]
Pelloie, J.L. [Auteur]
Tabone, C. [Auteur]
Grouillet, A. [Auteur]
Martin, F. [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Picheta, L. [Auteur]
Mackowiak, E. [Auteur]
Llinares, P. [Auteur]
Vanhoenacker, D. [Auteur]
Raskin, J.P. [Auteur]
Raynaud, C. [Auteur]
Faynot, O. [Auteur]
Pelloie, J.L. [Auteur]
Tabone, C. [Auteur]
Grouillet, A. [Auteur]
Martin, F. [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Picheta, L. [Auteur]
Mackowiak, E. [Auteur]
Llinares, P. [Auteur]
Vanhoenacker, D. [Auteur]
Raskin, J.P. [Auteur]
Journal title :
Solid-State Electronics
Pages :
379-386
Publisher :
Elsevier
Publication date :
2002
ISSN :
0038-1101
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :