Behavioural model for AlGaN/GaN HEMT's on ...

Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Behavioural model for AlGaN/GaN HEMT's on sapphire and SiC constructed from multi-bias signal measurements
Author(s) :
Schreus, D. [Auteur]
Vellas, N. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Germain, Marie [Auteur]
Borghs, G. [Auteur]
Conference title :
27th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2003
City :
Fürigen
Country :
Suisse
Start date of the conference :
2003
Publication date :
2003
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL