LP-MOCVD growth of GaAlN/GaN heterostructures ...

Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
LP-MOCVD growth of GaAlN/GaN heterostructures on silicon carbide
Author(s) :
Di Forte-Poisson, Marie-Antoinette [Auteur]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Tordjman, Maurice [Auteur]
Thales Research and Technology [Palaiseau]
Romann, A. [Auteur]
Magis, M. [Auteur]
Thales Research and Technology [Palaiseau]
Aubry, Raphaël [Auteur]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Delage, Sylvain Laurent [Auteur]
THALES [France]
Di Persio, J. [Auteur]
Laboratoire de structures et propriétés de l'état solide - UMR 8008 [LSPES]
Grimbert, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
Proceedings of the Fifth International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-5
City :
Nara
Country :
Japon
Start date of the conference :
2003
Publication date :
2003
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL