Titre :

New all 2-inch manufacturable high performance evanescent coupled waveguide photodiodes with etched mirrors for 40Gb/s optical receivers

Auteur(s) :

Achouche, Mohand [Auteur]
Laboratoire Opto+, Alcatel R&I Marcoussis
Demiguel, Stéphane [Auteur]
Laboratoire Opto+, Alcatel R&I Marcoussis
Derouin, Estelle [Auteur]
Carpentier, David [Auteur]
Barthe, F. [Auteur]
Blache, Fabrice [Auteur]
Magnin, Vincent [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Harari, Joseph [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Decoster, Didier [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

OFC 2003 Optical Fiber Communications Conference

Ville :

Atlanta

Pays :

Etats-Unis d'Amérique

Date de début de la manifestation scientifique :

2003-03-23

Éditeur :

Optical Society of America, Washington, DC, USA

Date de publication :

2003

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Manufacturing
Optical coupling
Etching
Mirrors
Optical receivers
Optical waveguides
Photodiodes
Optical fiber polarization
Length measurement
Shape measurement

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Résumé en anglais : [en]

Evanescent PIN photodiodes are fabricated using all 2”-InP processing including on-wafer mirrors and coatings. 0.73 A/W responsivity at 1.55 µm, -1 dB vertical coupling tolerance of 2.2 µm and 47 GHz bandwidth are ...
Lire la suite >Evanescent PIN photodiodes are fabricated using all 2”-InP processing including on-wafer mirrors and coatings. 0.73 A/W responsivity at 1.55 µm, -1 dB vertical coupling tolerance of 2.2 µm and 47 GHz bandwidth are simultaneously demonstrated.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL