Microscopic analysis of the high-frequency ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Microscopic analysis of the high-frequency noise behaviour of fully-depleted silicon-on-insulator MOSFETs
Auteur(s) :
Rengel, R. [Auteur]
Mateos, J. [Auteur]
Pardo, D. [Auteur]
Gonzales, T. [Auteur]
Martin, M.J. [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Danneville, François [Auteur]
Raskin, J.P. [Auteur]
Mateos, J. [Auteur]
Pardo, D. [Auteur]
Gonzales, T. [Auteur]
Martin, M.J. [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Danneville, François [Auteur]
Raskin, J.P. [Auteur]
Date de début de la manifestation scientifique :
2003
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 17th International Conference on Noise and Fluctuations, ICNF 2003
Éditeur :
Czech Noise Research Laboratory, Brno University of Technology, Czech Republic
Date de publication :
2003
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :