Physical analysis of the breakdown phenomenon ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Physical analysis of the breakdown phenomenon between single or double step gate recess HEMTs
Auteur(s) :
Elkhou, M. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rousseau, Michel [Auteur]
Gerard, H. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rousseau, Michel [Auteur]
Gerard, H. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Date de début de la manifestation scientifique :
2004
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 12th European Gallium Arsenide and Other Semiconductor Application Symposium, GAAS 2004
Éditeur :
Horizon House Publications Ltd, London. UK
Date de publication :
2004
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :