1/f noise and ballistic mobility in GaN/AlGaN ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
1/f noise and ballistic mobility in GaN/AlGaN heterostructure field effect transistors in high magnetic fields
Author(s) :
Rumyantsev, S.L. [Auteur]
Shur, M. [Auteur]
Knap, W. [Auteur]
Dyakonova, N. [Auteur]
Pascal, F. [Auteur]
Hoffman, A. [Auteur]
Guhel, Y. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur] refId
Start date of the conference :
2004
Book title :
Proceedings of the SPIE - International Society for Optical Engineering, 5470
Publisher :
SPIE – The International Society for Optical Engineering, Bellingham, WA, USA
Publication date :
2004
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL