Low frequency noise behaviour in GaN HEMT's ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Low frequency noise behaviour in GaN HEMT's on silicon substrate
Auteur(s) :
Bary, Laurent [Auteur]
Angeli, E. [Auteur]
Rennane, Abdelali [Auteur]
Soubercaze-Pun, Geoffroy [Auteur]
Tartarin, Jean-Guy [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Y. [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Plana, Robert [Auteur]
Graffeuil, Jacques [Auteur]
Angeli, E. [Auteur]
Rennane, Abdelali [Auteur]
Soubercaze-Pun, Geoffroy [Auteur]
Tartarin, Jean-Guy [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Y. [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Plana, Robert [Auteur]
Graffeuil, Jacques [Auteur]
Date de début de la manifestation scientifique :
2004
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the SPIE - International Society for Optical Engineering, 5470
Éditeur :
SPIE – The International Society for Optical Engineering, Bellingham, WA, USA
Date de publication :
2004
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :