Ideal subthreshold characteristics of ...
Document type :
Article dans une revue scientifique
Title :
Ideal subthreshold characteristics of thin-film SOI p-MOSFETs with Schottky source/drain and a midgap tungsten gate
Author(s) :
Larrieu, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]

Journal title :
IEE Proceedings Microwaves Antennas and Propagation
Pages :
801-803
Publisher :
Institution of Engineering and Technology
Publication date :
2004
ISSN :
1350-2417
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :