Title :

Ideal subthreshold characteristics of thin-film SOI p-MOSFETs with Schottky source/drain and a midgap tungsten gate

Author(s) :

Larrieu, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]

Journal title :

IEE Proceedings Microwaves Antennas and Propagation

Pages :

801-803

Publisher :

Institution of Engineering and Technology

Publication date :

2004

ISSN :

1350-2417

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL