In-situ infrared absorption spectroscopy ...
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
In-situ infrared absorption spectroscopy of HfO2 growth by atomic layer deposition on Si(100) and Si(111)
Auteur(s) :
Wang, Y. [Auteur]
Chabal, Y.J. [Auteur]
Ho, M.T. [Auteur]
Wielunski, L.S. [Auteur]
Goncharova, L. [Auteur]
Gustafsson, T. [Auteur]
Larrieu, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Tao, M. [Auteur]
Boleslawski, M. [Auteur]
Moumen, N. [Auteur]
Chabal, Y.J. [Auteur]
Ho, M.T. [Auteur]
Wielunski, L.S. [Auteur]
Goncharova, L. [Auteur]
Gustafsson, T. [Auteur]
Larrieu, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Tao, M. [Auteur]
Boleslawski, M. [Auteur]
Moumen, N. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
Proceedings of the AVS 5th International Conference on Atomic Layer Deposition, ALD 2005
Ville :
San Jose, CA
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
2005
Date de publication :
2005
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :