Noise modeling and performance in 0.15 µm ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Noise modeling and performance in 0.15 µm fully depleted SOI MOSFET
Author(s) :
Pailloncy, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Iniguez, B. [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Dehan, M. [Auteur]
Raskin, J.P. [Auteur]
Matsuhashi, H. [Auteur]
Delatte, P. [Auteur]
Danneville, François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Iniguez, B. [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]

Dehan, M. [Auteur]
Raskin, J.P. [Auteur]
Matsuhashi, H. [Auteur]
Delatte, P. [Auteur]
Danneville, François [Auteur]

Start date of the conference :
2004
Book title :
Proceedings of the SPIE - International Society for Optical Engineering, 5470
Publisher :
SPIE – The International Society for Optical Engineering, Bellingham, WA, USA
Publication date :
2004
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :