Metamorphic InAIAs/InGaAs HEMTs : material ...
Type de document :
Partie d'ouvrage
Titre :
Metamorphic InAIAs/InGaAs HEMTs : material properties and device performance
Auteur(s) :
Cordier, Y. [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Chauveau, J.M. [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Chauveau, J.M. [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Éditeur(s) ou directeur(s) scientifique(s) :
CAI W.Z.
Titre de l’ouvrage :
III-V semiconductor heterostructures : physics and devices
Éditeur :
Research Signpost, Kerala, India
Date de publication :
2003
Langue :
Anglais
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Commentaire :
ISBN 81-7736-170-8
Source :