Traps centers and deep defects contribution ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Traps centers and deep defects contribution in current instabilities for AlGaN/GaN HEMT's on silicon and sapphire substrates
Auteur(s) :
Sghaier, N. [Auteur]
Trabelsi, M. [Auteur]
Yacoubi, N. [Auteur]
Bluet, J.M. [Auteur]
Souifi, A. [Auteur]
Guillot, G. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Trabelsi, M. [Auteur]
Yacoubi, N. [Auteur]
Bluet, J.M. [Auteur]
Souifi, A. [Auteur]
Guillot, G. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Titre de la revue :
Microelectronics Journal
Pagination :
363-370
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2006
ISSN :
0026-2692
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :