Contribution à l'étude de l'épitaxie par ...
Document type :
Partie d'ouvrage
Title :
Contribution à l'étude de l'épitaxie par jets moléculaires à grande échelle de semi-conducteurs phosphorés
Author(s) :
Dhellemmes, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Publication date :
2006
Language :
Français
Audience :
Non spécifiée
Source :