Titre :

Free-carrier absorption and growth temperature of highly Be-doped InGaAs in molecular beam epitaxy

Auteur(s) :

Vignaud, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zaknoune, M. [Auteur]
Mollot, F. [Auteur]

Titre de la revue :

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH

Pagination :

107-111

Éditeur :

Elsevier

Date de publication :

2006

ISSN :

0022-0248

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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