Reactive ion etching of a 20 nanometers ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Reactive ion etching of a 20 nanometers tungsten gate using a SF6/N2 chemistry and hydrogen silsesquioxane hard mask resist
Auteur(s) :
Larrieu, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Titre de la revue :
Journal of Vacuum Science and Technology
Pagination :
2046-2050
Éditeur :
American Vacuum Society (AVS)
Date de publication :
2005
ISSN :
0022-5355
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :