Electrical Performance of Single and Coupled ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
Titre :
Electrical Performance of Single and Coupled Cu Interconnects for the 70 nm Technology
Auteur(s) :
El Bouazzati, K. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ponchel, Freddy [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Legier, Jean-François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Paleczny, Erick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Seguinot, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deschacht, Denis [Auteur]
Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques [SysMIC]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ponchel, Freddy [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Legier, Jean-François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Paleczny, Erick [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Seguinot, Christophe [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deschacht, Denis [Auteur]
Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques [SysMIC]
Titre de la manifestation scientifique :
SPI: Signal Propagation on Interconnects
Ville :
Heidelberg
Pays :
Allemagne
Date de début de la manifestation scientifique :
2004-05-09
Titre de l’ouvrage :
8th IEEE Workshop on Signal Propagation on Interconnects
Éditeur :
IEEE
Date de publication :
2004
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Résumé en anglais : [en]
This paper deals with propagation delay, rise time and crosstalk for Cu wire of 100 nm width and 2.2 to 1.7 aspect ratio AR ( AR /spl sime/ h/w) in single and coupled configuration. Electrical and electromagnetical ...
Lire la suite >This paper deals with propagation delay, rise time and crosstalk for Cu wire of 100 nm width and 2.2 to 1.7 aspect ratio AR ( AR /spl sime/ h/w) in single and coupled configuration. Electrical and electromagnetical characteristics are predicted, with a full wave analysis, for various wire resistivity and low k dielectric material when a clock pulse of 143 ps period (7 GHz) propagate. Critical value of 300 /spl mu/m is calculated for wire length when propagation delay equals MOSFET switching delay. Such critical values also induced more than 20% crosstalk in two coupled lines with 100 nm spacing and low k=2.0.Lire moins >
Lire la suite >This paper deals with propagation delay, rise time and crosstalk for Cu wire of 100 nm width and 2.2 to 1.7 aspect ratio AR ( AR /spl sime/ h/w) in single and coupled configuration. Electrical and electromagnetical characteristics are predicted, with a full wave analysis, for various wire resistivity and low k dielectric material when a clock pulse of 143 ps period (7 GHz) propagate. Critical value of 300 /spl mu/m is calculated for wire length when propagation delay equals MOSFET switching delay. Such critical values also induced more than 20% crosstalk in two coupled lines with 100 nm spacing and low k=2.0.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :