Detection of picosecond electrical pulses ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Detection of picosecond electrical pulses using the intrinsic Franz-Keldysh effect
Auteur(s) :
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mollot, F. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Desplanque, Ludovic [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mollot, F. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Applied Physics Letters
Pagination :
4103-4105
Éditeur :
American Institute of Physics
Date de publication :
2001
ISSN :
0003-6951
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
We report time-resolved measurements of ultrafast electrical pulses propagating on a coplanar transmission line using the intrinsic Franz-Keldysh effect. A low-temperature-grown GaAs layer deposited on a GaAs substrate ...
Lire la suite >We report time-resolved measurements of ultrafast electrical pulses propagating on a coplanar transmission line using the intrinsic Franz-Keldysh effect. A low-temperature-grown GaAs layer deposited on a GaAs substrate allows generation and also detection of ps pulses via electroabsorption sampling (EAS). This all-optical method does not require any external sampling probe. A typical rise time of 1.1 ps has been measured. EAS is a good candidate for use in THz characterization of ultrafast devices.Lire moins >
Lire la suite >We report time-resolved measurements of ultrafast electrical pulses propagating on a coplanar transmission line using the intrinsic Franz-Keldysh effect. A low-temperature-grown GaAs layer deposited on a GaAs substrate allows generation and also detection of ps pulses via electroabsorption sampling (EAS). This all-optical method does not require any external sampling probe. A typical rise time of 1.1 ps has been measured. EAS is a good candidate for use in THz characterization of ultrafast devices.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :