GaAs monolithic transferred-electron devices ...
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
GaAs monolithic transferred-electron devices for millimeter waves applications
Author(s) :
Rolland, Paul-Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Friscourt, Marie-Renée [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Friscourt, Marie-Renée [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
IEEE Microwave Theory and Technique Symposium
City :
Saint-Louis, Missouri
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
1985-12-12
Publisher :
427-430
Publication date :
1985
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
The authors point out the existence of two different operating modes in a planar GaAs transferred-electron oscillator with a current limiting MESFET cathode. The respective advantages and drawbacks of these two modes are ...
Show more >The authors point out the existence of two different operating modes in a planar GaAs transferred-electron oscillator with a current limiting MESFET cathode. The respective advantages and drawbacks of these two modes are discussed on the basis of further monolithic integration. The influence of the operating conditions on the RF performance are given in the 100 GHz window.Show less >
Show more >The authors point out the existence of two different operating modes in a planar GaAs transferred-electron oscillator with a current limiting MESFET cathode. The respective advantages and drawbacks of these two modes are discussed on the basis of further monolithic integration. The influence of the operating conditions on the RF performance are given in the 100 GHz window.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :