Substrate grounded GaN-on-Si HEMTs with ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Substrate grounded GaN-on-Si HEMTs with record vertical breakdown above 2 kV
Auteur(s) :
Dogmus, Ezgi [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Linge, Astrid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
12th International Conference on Nitride Semiconductors 2017 (ICNS-12)
Ville :
Strasbourg
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2017-07-24
Titre de la revue :
ICNS-12
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL