Titre :

Synthesis of In0.1Ga0.9N/GaN and In0.2Ga0.8N/GaN PIN photodiode in single and multiple quantum well absorbent layer configuration : fabrication and characterization

Auteur(s) :

Alshehri, Bandar [Auteur]
Dogheche, Karim [Auteur]
Decoster, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Dogheche, El Hadj [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

15èmes Journées Nano, Micro et Optoélectronique, JNMO 2016

Ville :

Les Issambres

Pays :

France

Date de début de la manifestation scientifique :

2016-05-30

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Optique / photonique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Acoustique [physics.class-ph]

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL