Noise analysis of 0.1 mm gate MESFETs and HEMTs

Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
10.1016/S0038-1101(97)00196-2
Titre :
Noise analysis of 0.1 mm gate MESFETs and HEMTs
Auteur(s) :
Mateos, Javier [Auteur]
Gonzalez, Tomas [Auteur]
Pardo, Daniel [Auteur]
Tadyszak, Patrick [Auteur]
Danneville, François [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cappy, Alain [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Solid-State Electronics
Pagination :
79-85
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
1998-01
ISSN :
0038-1101
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Fichiers
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