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TEM Investigation of the 3C/6H-SiC Transformation Interface in Layers Grown by Sublimation Epitaxy
Solid State Phenomena, 2010, 163, 97-100Article dans une revue scientifique -
Some Recent Results on the 3C-SiC Structural Defects
Solid State Phenomena, 2010, 159, 39-48Article dans une revue scientifique -
Effect of Inter-Well Coupling between 3C and 6H in-Grown Stacking Faults in 4H-SiC Epitaxial Layers
Materials Science Forum, 2011, 679-680, 314-317Article dans une revue scientifique -
6H-Type Zigzag Faults in Low-Doped 4H-SiC Epitaxial Layers
Materials Science Forum, 2010, 645-648, 347-350Article dans une revue scientifique -
TEM and LTPL Investigations of 3C-SiC Layers Grown by LPE on (100) and (111) 3C-SiC Seeds
Materials Science Forum, 2010, 645-648, 383-386Article dans une revue scientifique -
Structural and Optical Investigation of VLS Grown (111) 3C-SiC Layers on 6H-SiC Substrates in Sn-Based Melts
Materials Science Forum, 2011, 679-680, 165-168Article dans une revue scientifique -
Sublimation Growth and Structural Characterization of 3C-SiC on Hexagonal and Cubic SiC Seeds
Materials Science Forum, 2010, 645-648, 175-178Article dans une revue scientifique -
On the Mechanism of Twin Boundary Elimination in 3C-SiC(111) Heteroepitaxial Layers on α-SiC Substrates
Materials Science Forum, 2011, 679-680, 71-74Article dans une revue scientifique -
Sublimation epitaxy of cubic silicon carbide in vacuum
Journal of Physics. Conference Series, 2010, 223, 12014Article dans une revue scientifique -
Structural Analysis of Au/Ti/Al/SiC Contacts in Dependence on the Initial Composition and Annealing
Journal of Nano Research, 2010, 12, 55-63Article dans une revue scientifique