Modeling of access resistances and channel ...

Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
10.1007/s10973-022-11371-y
Titre :
Modeling of access resistances and channel temperature estimation for GaN HEMT
Auteur(s) :
Islam, Shariful [Auteur]
Alim, Mohammad Abdul [Auteur]
Chowdhury, Abu Zahed [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Titre de la revue :
JOURNAL OF THERMAL ANALYSIS AND CALORIMETRY
Pagination :
10991–10998
Éditeur :
Springer Verlag
Date de publication :
2022
ISSN :
1388-6150
Mot(s)-clé(s) en anglais :
GaN HEMTs
Access resistances
Channel temperature
Thermal resistance
Modeling
Measurements
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
Accurate prediction of resistances at the transistor’s access zone and their temperature dependency are very important, since the current flow to the device depends on that region. In this paper, we have modeled the access ...
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Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL