HOT-CARRIER RELIABILITY IN n-MOSFETs USED ...

Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
10.1016/S0026-2714(97)00217-5
Titre :
HOT-CARRIER RELIABILITY IN n-MOSFETs USED AS PASS-TRANSISTORS
Auteur(s) :
Goguenheim, D [Auteur]
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence [IM2NP]
Bravaix, Alain [Auteur]
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence [IM2NP]
Vuillaume, Dominique [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Varrot, M [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Revil, N [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Mortini, P [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Titre de la revue :
Microelectronics Reliability
Pagination :
539-544
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
1998-04
ISSN :
0026-2714
Mot(s)-clé(s) en anglais :
CMOS
AC stress
Pass transistor
Hot-carriers
interface traps
oxide traps
propagation time
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
AC stressing is investigated to determine the hot-carrier reliability in a 0.5 μm CMOS technology and is interpreted by a quasi-static model based on distinct damage mechanisms. The hot-carrier dependence of n-MOSFETs ...
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Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
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