Stress induced leakage currents in N-MOSFETs ...

Type de document :
Article dans une revue scientifique: Article original
DOI :
10.1016/S0022-3093(98)00852-7
Titre :
Stress induced leakage currents in N-MOSFETs submitted to channel hot carrier injections
Auteur(s) :
Goguenheim, D [Auteur]
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence [IM2NP]
Bravaix, Alain [Auteur]
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence [IM2NP]
Vuillaume, Dominique [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mondon, F [Auteur]
Université Joseph Fourier - Grenoble 1 - Institut de géographie alpine [UJF IGA]
Jourdain, M [Auteur]
Université de Reims Champagne-Ardenne [URCA]
Meinertzhagen, A [Auteur]
Université de Reims Champagne-Ardenne [URCA]
Titre de la revue :
Journal of Non-Crystalline Solids
Pagination :
41-47
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
1999-04
ISSN :
0022-3093
Mot(s)-clé(s) en anglais :
SILC
Fowler-Nordheim injection
MOSFET
Schottky law
hole injection
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
In this study, we report on the electrical properties of the stress induced leakage current which appears through a 4.7 nm-thick SiO2 gate oxide of N-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistors after localized ...
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Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
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