Sub-Micron Thick GaN-on-Si HEMTs with More ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Sub-Micron Thick GaN-on-Si HEMTs with More than 7.5 MV/cm Buffer Breakdown Field
Author(s) :
Carneiro, Elodie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rennesson, Stephanie [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Tamariz, Sébastian [Auteur]
Semond, Fabrice [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Medjdoub, Farid [Auteur] refId
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
WOCSDICE EXMATEC 2022
City :
Ponta Delgada
Country :
Portugal
Start date of the conference :
2022-05-03
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL