Sub-Micron Thick GaN-on-Si HEMTs with More ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Sub-Micron Thick GaN-on-Si HEMTs with More than 7.5 MV/cm Buffer Breakdown Field
Auteur(s) :
Carneiro, Elodie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rennesson, Stephanie [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Tamariz, Sébastian [Auteur]
Semond, Fabrice [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Medjdoub, Farid [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
WOCSDICE EXMATEC 2022
Ville :
Ponta Delgada
Pays :
Portugal
Date de début de la manifestation scientifique :
2022-05-03
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Projet ANR :
Réseau national sur GaN
Collections :
Source :
Harvested from HAL