Titre :

Investigation on GaN channel thickness downscaling in high electron mobility transistor structures grown on AlN bulk substrate

Auteur(s) :

Elwaradi, Reda [Auteur]
Bougerol, C. [Auteur]
Nanophysique et Semiconducteurs [NEEL - NPSC]
Mehta, Jash Rinku [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nemoz, Maud [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Medjdoub, Farid [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]

Titre de la manifestation scientifique :

WOCSDICE EXMATEC 2022

Ville :

Ponta Delgada

Pays :

Portugal

Date de début de la manifestation scientifique :

2022-05-03

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Réseau national sur GaN

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL