Title :

Investigation on GaN channel thickness downscaling in high electron mobility transistor structures grown on AlN bulk substrate

Author(s) :

Elwaradi, Reda [Auteur]
Bougerol, C. [Auteur]
Nanophysique et Semiconducteurs [NEEL - NPSC]
Mehta, Jash Rinku [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Nemoz, Maud [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]

Conference title :

WOCSDICE EXMATEC 2022

City :

Ponta Delgada

Country :

Portugal

Start date of the conference :

2022-05-03

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

ANR Project :

Réseau national sur GaN

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL