Titre :

Ultra-thin InGaAs-MSM photodetectors for THz optoelectronics applications

Auteur(s) :

Billet, Maximilien [Auteur]
Laboratoire de Physique des Lasers, Atomes et Molécules - UMR 8523 [PhLAM]
Desmet, Yann [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Coinon, Christophe [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Peytavit, Emilien [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

2017 42nd International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)

Ville :

Cancun

Pays :

Mexique

Date de début de la manifestation scientifique :

2017-08-27

Éditeur :

IEEE

Date de publication :

2017-10-16

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Optical mixing
Optical fibers
Radio frequency
Photodetectors
Cavity resonators
Optical variables measurement

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

We present a new design of InGaAs metal-semiconductor-metal (InGaAs-MSM) photodetectors placed in optical resonant cavities in order to reduce inter-electrode spacing while keeping a high photoresponse. Its static and ...
Lire la suite >We present a new design of InGaAs metal-semiconductor-metal (InGaAs-MSM) photodetectors placed in optical resonant cavities in order to reduce inter-electrode spacing while keeping a high photoresponse. Its static and dynamic photoresponse properties have been measured by means of a photomixing experiment up to 67 GHz, showing the potential of this device for GHz and THz applications.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Laboratoire de Physique des Lasers, Atomes et Molécules (PhLAM) - UMR 8523

Source :

Harvested from HAL