Short bends using curved mirrors in silicon ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Short bends using curved mirrors in silicon waveguides for terahertz waves
Auteur(s) :
Verstuyft, Mattias [Auteur]
Universiteit Gent = Ghent University = Université de Gand [UGENT]
Akiki, Elias [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vanwolleghem, Mathias [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Walter, Benjamin [Auteur]
Vmicro SAS
Bavedila, Fuanki [Auteur]
Vmicro SAS
Lebouvier, Édouard [Auteur]
Faucher, Marc [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nano and Microsystems - IEMN [NAM6 - IEMN]
Kuyken, Bart [Auteur]
Universiteit Gent = Ghent University = Université de Gand [UGENT]
Universiteit Gent = Ghent University = Université de Gand [UGENT]
Akiki, Elias [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vanwolleghem, Mathias [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Walter, Benjamin [Auteur]
Vmicro SAS
Bavedila, Fuanki [Auteur]
Vmicro SAS
Lebouvier, Édouard [Auteur]
Faucher, Marc [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nano and Microsystems - IEMN [NAM6 - IEMN]
Kuyken, Bart [Auteur]
Universiteit Gent = Ghent University = Université de Gand [UGENT]
Titre de la revue :
Optics Express
Pagination :
pp. 6656-6670
Éditeur :
Optical Society of America - OSA Publishing
Date de publication :
2022-02-28
ISSN :
1094-4087
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
Dielectric waveguides are capable of confining and guiding terahertz waves along sub-wavelength sized structures. A small feature size allows for a denser integration of different photonic components such as modulators, ...
Lire la suite >Dielectric waveguides are capable of confining and guiding terahertz waves along sub-wavelength sized structures. A small feature size allows for a denser integration of different photonic components such as modulators, beam-splitters, wavelength (de)multiplexers and more. The integration of components on a small scale requires bending of the waveguides. In this paper we demonstrate a very short silicon 90°-bend, based on total internal reflection on an elliptically curved outer facet and a rounding of the inner corner joining two waveguides, with an average loss of 0.14 dB per bend in the 600-750 GHz range.Lire moins >
Lire la suite >Dielectric waveguides are capable of confining and guiding terahertz waves along sub-wavelength sized structures. A small feature size allows for a denser integration of different photonic components such as modulators, beam-splitters, wavelength (de)multiplexers and more. The integration of components on a small scale requires bending of the waveguides. In this paper we demonstrate a very short silicon 90°-bend, based on total internal reflection on an elliptically curved outer facet and a rounding of the inner corner joining two waveguides, with an average loss of 0.14 dB per bend in the 600-750 GHz range.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
- https://doi.org/10.1364/oe.447268
- Accès libre
- Accéder au document
- https://doi.org/10.1364/oe.447268
- Accès libre
- Accéder au document
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03695019/document
- Accès libre
- Accéder au document
- https://doi.org/10.1364/oe.447268
- Accès libre
- Accéder au document
- https://doi.org/10.1364/oe.447268
- Accès libre
- Accéder au document
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03695019/document
- Accès libre
- Accéder au document
- https://doi.org/10.1364/oe.447268
- Accès libre
- Accéder au document
- https://doi.org/10.1364/oe.447268
- Accès libre
- Accéder au document
- document
- Accès libre
- Accéder au document
- Verstuyft_2022_oe-30-5-6656.pdf
- Accès libre
- Accéder au document
- document
- Accès libre
- Accéder au document
- Verstuyft_2022_oe-30-5-6656.pdf
- Accès libre
- Accéder au document