Analyse Thermique de Transistors AlInN/GaN ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Analyse Thermique de Transistors AlInN/GaN avec des Micro-Thermomètres Raman à base de TiO2 et de CeO2
Author(s) :
Strenaer, Raphaël [Auteur]
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
Guhel, Yannick [Auteur]
Université de Caen Normandie [UNICAEN]
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg [LUSAC]
Brocero, Guillaume [Auteur]
Université de Caen Normandie [UNICAEN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
Guhel, Yannick [Auteur]
Université de Caen Normandie [UNICAEN]
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg [LUSAC]
Brocero, Guillaume [Auteur]
Université de Caen Normandie [UNICAEN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
Conference title :
XXIIèmes Journées Nationales Microondes
City :
Limoges
Country :
France
Start date of the conference :
2022-06-07
Book title :
Analyse Thermique de Transistors AlInN/GaN avec des Micro-Thermomètres Raman à base de TiO2 et de CeO2
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
French abstract :
L’objectif de cette étude était de déterminer la température de fonctionnement de transistors AlInN/GaN par spectroscopie Raman. Afin d’estimer à la fois la température volumique et surfacique du GaN et des électrodes ...
Show more >L’objectif de cette étude était de déterminer la température de fonctionnement de transistors AlInN/GaN par spectroscopie Raman. Afin d’estimer à la fois la température volumique et surfacique du GaN et des électrodes métalliques, nous avons combiné les possibilités offertes par la spectroscopie micro-Raman classique avec celles offertes par l’utilisation de micro-thermomètres à base de CeO2 et de TiO2 déposés sur le composant. Ainsi, nous avons montré que la température d’auto-échauffement surfacique du GaN mesurée grâce aux microparticules est de l’ordre de 200 °C alors que la température volumique de la couche de GaN est d’environ 150 °C pour une densité linéique de puissance dissipée de 9 W/mm. L’étude nous a permis d’analyser les avantages et les inconvénients de chacun des micro-thermomètres.Show less >
Show more >L’objectif de cette étude était de déterminer la température de fonctionnement de transistors AlInN/GaN par spectroscopie Raman. Afin d’estimer à la fois la température volumique et surfacique du GaN et des électrodes métalliques, nous avons combiné les possibilités offertes par la spectroscopie micro-Raman classique avec celles offertes par l’utilisation de micro-thermomètres à base de CeO2 et de TiO2 déposés sur le composant. Ainsi, nous avons montré que la température d’auto-échauffement surfacique du GaN mesurée grâce aux microparticules est de l’ordre de 200 °C alors que la température volumique de la couche de GaN est d’environ 150 °C pour une densité linéique de puissance dissipée de 9 W/mm. L’étude nous a permis d’analyser les avantages et les inconvénients de chacun des micro-thermomètres.Show less >
Language :
Français
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Nationale
Popular science :
Non
Source :