Titre :

Selective sublimation of GaN and regrowth of AlGaN to co-integrate enhancement mode and depletion mode high electron mobility transistors

Auteur(s) :

Ngo, Thi Huong [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Comyn, Rémi [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Chenot, Sébastien [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Brault, Julien [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Université Côte d'Azur [UniCA]
Nemoz, Maud [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Vennéguès, Philippe [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Damilano, Benjamin [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Vézian, S. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Frayssinet, Eric [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Cozette, Flavien [Auteur]
Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes [Sherbrooke] [LN2]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lecourt, François [Auteur]
OMMIC
Labat, Nathalie [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Maher, Hassan [Auteur]
Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes [Sherbrooke] [LN2]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]

Titre de la revue :

Journal of Crystal Growth

Pagination :

126779

Éditeur :

Elsevier

Date de publication :

2022-09-01

ISSN :

0022-0248

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Selective sublimation
Local area epitaxy
Group III-nitrides
High electron mobility transistors

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

In the present study, the selective sublimation of the p-GaN cap layer of Al(Ga)N/GaN HEMTs is developed to replace the commonly used dry etching with no risk of damage in the barrier layer in order to fabricate enhanced ...
Lire la suite >In the present study, the selective sublimation of the p-GaN cap layer of Al(Ga)N/GaN HEMTs is developed to replace the commonly used dry etching with no risk of damage in the barrier layer in order to fabricate enhanced mode transistors. Thanks to this approach, enhancement-mode transistors are fabricated with a threshold voltage between 0 V and +1.5 V depending on the barrier layer aluminum molar fraction and thickness. Furthermore, we show the benefit of the combination of selective sublimation with the regrowth of AlGaN to reduce access resistance in these transistors which can be co-integrated with depletion-mode devices fabricated in the same process in areas where p-GaN has been totally evaporated.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Co-intégration des transistors GaN à enrichissement et à déplétion pour les circuits de communication RF de la prochaine génération
Réseau national sur GaN

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL