[Invited] Local substrate removal for next ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
[Invited] Local substrate removal for next generation GaN-on-Silicon power transistors
Auteur(s) :
Hamdaoui, Youssef [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Abid, Idriss [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Ziouche, Katir [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur correspondant] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM) 2022
Ville :
Hiroshima
Pays :
Japon
Date de début de la manifestation scientifique :
2022-08-29
Titre de l’ouvrage :
Proceeding of TWHM2022
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Projet Européen :
Vertical GaN on Silicon: Wide Band Gap Power at Silicon Cost
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Fichiers
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