Titre :

GaAs Schottky Diodes Development for Millimeter Wave Doubler

Auteur(s) :

Bouillaud, H. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mondal, Priyanka [Auteur]
Laboratoire d'Etude du Rayonnement et de la Matière en Astrophysique et Atmosphères = Laboratory for Studies of Radiation and Matter in Astrophysics and Atmospheres [LERMA]
Di Gioia, Giuseppe [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Samnouni, Mohammed [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut de Recherche sur les Composants logiciels et matériels pour l'Information et la Communication Avancée - UAR 3380 [IRCICA]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Roelens, Yannick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Treuttel, Jeanne [Auteur]
Laboratoire d'Etudes et de Recherche sur le Monde Anglophone [LERMA]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

Wocsdice 2021 - 44th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe

Ville :

Bristol

Pays :

Royaume-Uni

Date de début de la manifestation scientifique :

2021-10-14

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Résumé en anglais : [en]

We report the fabrication of GaAs Schottky diodes to be integrated in a 75/150 frequency doubler device. It is a collaborative work between IEMN and LERMA relied on the development of a process with optimizing several ...
Lire la suite >We report the fabrication of GaAs Schottky diodes to be integrated in a 75/150 frequency doubler device. It is a collaborative work between IEMN and LERMA relied on the development of a process with optimizing several technological steps. As a result, very highquality GaAs Schottky diodes have been fabricated with a reverse breakdown voltage as high as 15.2 V at about 15 kA.cm-² current density and an ideality factor of 1.1. These results enabled to consider the design and simulation of a millimeter-wave frequency doubler with estimated efficiency and output power up to 30% and 120mW at 150 GHz, respectively.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL