Titre :

Design and Fabrication of Planar Gunn Nanodiodes Based on Doped GaN

Auteur(s) :

Mateos, Javier [Auteur]
Universidad de Salamanca [España] = University of Salamanca [Spain]
Gonzalez, Tomas [Auteur]
Departamento de Fisica Aplicada [Salamanca]
Iniguez-De-La-Torre, Ignacio [Auteur]
Universidad de Salamanca [España] = University of Salamanca [Spain]
Garcia, Sergio [Auteur]
Universidad de Salamanca [España] = University of Salamanca [Spain]
Perez, Susana [Auteur]
Departamento de Fisica Aplicada [Salamanca]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Radhakrishnan, K [Auteur]
Nanyang Technological University [Singapour] [NTU]
Nethaji, Dharmarasu [Auteur]
Nanyang Technological University [Singapour] [NTU]
Agrawal, Manvi [Auteur]
Nanyang Technological University [Singapour] [NTU]

Titre de la manifestation scientifique :

2019 IEEE Asia-Pacific Microwave Conference (APMC)

Ville :

Singapore

Pays :

Singapour

Date de début de la manifestation scientifique :

2019-12-10

Éditeur :

IEEE

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Gunn diodes
doped GaN
Monte Carlo

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

With the aim of producing free-running Gunn oscillations in GaN devices, we propose the use of planar asymmetrically shaped nanodiodes. The key novelty of our approach is the use of an active layer of highly doped bulk ...
Lire la suite >With the aim of producing free-running Gunn oscillations in GaN devices, we propose the use of planar asymmetrically shaped nanodiodes. The key novelty of our approach is the use of an active layer of highly doped bulk GaN, and not the typical 2DEG created by an AlGaN/GaN heterojunction. To this aim, efforts at different levels are being made in order to optimize the material growth, processing, simulation and design of the devices.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL