Title :

Comparison of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors grown by MOVPE on 3C-SiC/Si(111), Si(111) and 6H-SiC for RF applications

Author(s) :

Lesecq, Marie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Frayssinet, E. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Portail, Marc [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Bah, M [Auteur]
GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies) [GREMAN - UMR 7347]
Defrance, N. [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ngo, T-H. [Auteur]
Abou Daher, M. [Auteur]
Fouzi, Y. [Auteur]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Abboud, A. [Auteur]
de Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Zielinski, M. [Auteur]
INL - Conception de Systèmes Hétérogènes [INL - CSH]
Alquier, Daniel [Auteur]
GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies) [GREMAN - UMR 7347]

Conference title :

International Workshop on Nitride Semi-conductors, IWN 2022

City :

Berlin

Country :

Allemagne

Start date of the conference :

2022-10-09

HAL domain(s) :

Physique [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL