Titre :

High Al-content AlGaN channel high electron mobility transistors on silicon substrate

Auteur(s) :

Mehta, Jash Rinku [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Abid, Idriss [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Bassaler, Julien [Auteur]
Semi-conducteurs à large bande interdite [NEEL - SC2G]
Pernot, Julien [Auteur]
Semi-conducteurs à large bande interdite [NEEL - SC2G]
Ferrandis, Philippe [Auteur]
Université de Toulon [UTLN]
Semi-conducteurs à large bande interdite [NEEL - SC2G]
Nemoz, M [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Rennesson, S [Auteur]
EasyGaN
Tamariz, S [Auteur]
EasyGaN
Semond, F [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Medjdoub, Farid [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]

Titre de la revue :

e-Prime – Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy

Pagination :

100114

Éditeur :

Elsevier

Date de publication :

2023-01-18

ISSN :

2772-6711

Mot(s)-clé(s) en anglais :

AlGaN-on-Si AlGaN channel UWBG HEMT

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

The rapidly increasing power demand, downsizing of power electronics and material specific limitation of silicon has led to development of AlGaN/GaN heterostructures. Commercial GaN power devices are best available for ...
Lire la suite >The rapidly increasing power demand, downsizing of power electronics and material specific limitation of silicon has led to development of AlGaN/GaN heterostructures. Commercial GaN power devices are best available for radio frequency (RF) and high voltage switching applications. Emerging Al x Ga 1-x N channel based heterostructures are promising to enhance the limits of next generation high voltage GaN power switching devices. In this work, we report on the study of electrical performance of AlGaN channel HEMTs-on-Silicon using various Al content. The fabricated devices exhibited outstanding buffer breakdown electric field above 2.5 MV/cm considering the submicron thin heterostructures grown on silicon substrate. Furthermore, we also experimentally demonstrate high temperature operation of fabricated AlGaN channel HEMTs.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Réseau national sur GaN
Nouveau transistors à canaux AlGaN pour les applications à haute tension

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL