Accurate two-dimensional process-device ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Accurate two-dimensional process-device simulations for the analysis of punchthrough in walled emitter bipolar transistor
Auteur(s) :
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Baccus, B. [Auteur]
Collard, Dominique [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Baccus, B. [Auteur]
Collard, Dominique [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
Proc. of NASECODE VI conference, Ed. J.J.H. Miller, Boole Press
Ville :
Dublin
Pays :
Irlande
Date de début de la manifestation scientifique :
1989-06
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :