Analysis of the charge injection in MOS analog switches using physical models

Type de document :

Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes

Titre :

Auteur(s) :

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

Proc. of the International Semiconductor Device Research Symposium ISDRS’95

Ville :

Charlottesville

Pays :

Etats-Unis d'Amérique

Date de début de la manifestation scientifique :

1995-12

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

Source :

Analysis of the charge injection in MOS ... BibTeX CSV Excel RIS