Titre :

Over 70-GHz 4.9-V ppdiff InP linear driver for next generation coherent optical communications

Auteur(s) :

Romain, Hersent [Auteur]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Nokia Bell Labs
Achour, Ouslimani [Auteur]
Laboratoire QUARTZ [QUARTZ ]
Jean-Yves, Dupuy [Auteur]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Agnieszka, Konczykowska [Auteur]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Filipe, Jorge [Auteur]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Fabrice, Blache [Auteur]
Laboratoire de Mathématiques Blaise Pascal [LMBP]
Muriel, Riet [Auteur]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Virginie, Nodjiadjim [Auteur]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Colin, Mismer [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Abed-Elhak, Kasbari [Auteur]
Ecole Nationale Supérieure de l'Electronique et de ses Applications [ENSEA]

Titre de la manifestation scientifique :

2019 IEEE BiCMOS and Compound semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS)

Ville :

Nashville

Pays :

Etats-Unis d'Amérique

Date de début de la manifestation scientifique :

2019-11-03

Éditeur :

IEEE

Mot(s)-clé(s) en anglais :

E/O modulator high-speed linear driver
4-level pulse amplitude modulation (PAM-4)
Indium phosphide double heterojunction transistor
over 56-GBd electrical time-domain modulation
driver circuits
heterojunction bipolar transistors
III-V semiconductors
indium compounds
lumped parameter networks
next generation networks
optical communication equipment
optical modulation
pulse amplitude modulation

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]
Physique [physics]

Résumé en anglais : [en]

This paper presents a 86.8-GHz bandwidth 4.9-V ppdiff (peak-to-peak differential) linear electro-optical (E/O) modulator driver fabricated in III-V Lab's 0.7-μm InP DHBT technology. On-wafer measurements exhibit a differential ...
Lire la suite >This paper presents a 86.8-GHz bandwidth 4.9-V ppdiff (peak-to-peak differential) linear electro-optical (E/O) modulator driver fabricated in III-V Lab's 0.7-μm InP DHBT technology. On-wafer measurements exhibit a differential gain of 15.1 dB at 0.2 GHz and a 4.1-dB peaking gain at 51 GHz. Record bandwidth and maximum peaking-frequency, for a lumped linear driver, are obtained. Very high quality 100-Gb/s NRZ and 50GBd PAM-4 output eye diagrams have been measured. A good measurement and EM-simulation agreement is shown. The InP linear driver power consumption is respectively 0.94 and 1.2 W at 4.1 and 4.9-V ppdiff output swings.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL

Date de dépôt :

2023-12-01T03:28:53Z