Impact of nanoscale faceting on the ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Impact of nanoscale faceting on the electrical properties of in-plane InGaAs/Ga(As)Sb tunnel junctions grown by selective area MBE
Auteur(s) :
Bucamp, Alexandre [Auteur]
Coinon, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Lepilliet, sl [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Troadec, David [Auteur]
Patriarche, Gilles [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Coinon, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Lepilliet, sl [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Troadec, David [Auteur]

Patriarche, Gilles [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]

Desplanque, Ludovic [Auteur]

EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
21 st European Workshop on Molecular Beam Epitaxy (EuroMBE 2023), Apr 2023, Madrid, Spain
Ville :
Madrid
Pays :
Espagne
Date de début de la manifestation scientifique :
2023-04-16
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Projet ANR :
Source :