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High breakdown voltage and low buffer trapping in superlattice GaN-on-silicon heterostructures for high voltage applications
Materials, MDPI, 25-09-2020, 13; 19, 4271Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Pushing the limits of GaN-based power devices and power electronics
08-2018, 52-55Partie d'ouvragetexte intégral -
The impact of dislocations on AlGaN/GaN Schottky diodes and on gate failure of high electron mobility transistors
SCIENTIFIC REPORTS, Nature Publishing Group, 14-10-2020, 10; 1, 17252, 12 pagesCompte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Vertical breakdown of GaN on Si due to V-pits
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 07-01-2020, 127; 1, 015701Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Vertical leakage in GaN-on-Si stacks investigated by a buffer decomposition experiment
Micromachines, MDPI, 17-01-2020, 11; 1, 101, 9 pagesCompte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral