Titre :

Molecular beam epitaxial growth of 2D-boron nitride on Ni substrates

Auteur(s) :

Hadid, Jawad [Auteur]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Colambo, Ivy [Auteur]
University of the Philippines Los Baños [UP Los Baños]
Avila, Jose [Auteur]
Synchrotron SOLEIL [SSOLEIL]
Plaud, Aexandre [Auteur]
Groupe d'Etude de la Matière Condensée [GEMAC]
Université Paris Saclay, ONERA, CNRS, Laboratoire d'étude des microstructures (LEM)
Boyaval, Christophe [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Deresmes, D. [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Nuns, Nicolas [Auteur]
Institut Michel Eugène Chevreul - FR 2638 [IMEC]
Institut des Molécules et de la Matière Condensée de Lille [IMMCL]
Dudin, Pavel [Auteur]
Synchrotron SOLEIL [SSOLEIL]
Loiseau, Annick [Auteur]
DMAS, ONERA, Université Paris Saclay [Châtillon]
Université Paris Saclay, ONERA, CNRS, Laboratoire d'étude des microstructures (LEM)
Barjon, Julien [Auteur]
Groupe d'Etude de la Matière Condensée [GEMAC]
Wallart, Xavier [Auteur]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Vignaud, Dominique [Auteur]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

22nd International Conference on Molecualr Beam Epitaxy

Organisateur(s) de la manifestation scientifique :

University of Sheffield (UK)

Ville :

Sheffield

Pays :

Royaume-Uni

Date de début de la manifestation scientifique :

2022-09-04

Date de publication :

2022

Mot(s)-clé(s) en anglais :

boron nitride
borazine
molecular beam epitaxy
plasma-assisted

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Matériaux
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Résumé en anglais : [en]

2D boron nitride (2D-BN) was synthesized by gas-source molecular beam epitaxy on Ni substrates using gaseous borazine and active nitrogen generated by a remote plasma source. Based on spatially resolved photoemission ...
Lire la suite >2D boron nitride (2D-BN) was synthesized by gas-source molecular beam epitaxy on Ni substrates using gaseous borazine and active nitrogen generated by a remote plasma source. Based on spatially resolved photoemission spectroscopy and on the detection of the π plasmon peak, we discuss the origin of the two N and B main components and their relationship with an electronic coupling with Ni at the interface. After optimization of the growth parameters, a full 2D-BN coverage is obtained although the material thickness is not homogeneous, showing triangular islands whose lateral size is limited to ~20 μm.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Non

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

hBN/Graphene 2D Heterostructures: from scalable growth to integration

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL