Titre :

Edge-coupled Waveguide InGaAs/InP Heterojunction Phototransistors

Auteur(s) :

Magnin, Vincent [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vandecasteele, Jérôme [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Harari, Joseph [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gouy, Jean-Philippe [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Maricot, Sophie [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vilcot, Jean-Pierre [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Decoster, Didier [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

SEMICONDUCTOR AND INTEGRATED OPTOELECTRONICS (SIOE'97)

Organisateur(s) de la manifestation scientifique :

University of Wales, Bangor, and Cardiff, in association with the Institute of Physics Quantum Electronics Group

Ville :

Cardiff

Pays :

Royaume-Uni

Date de début de la manifestation scientifique :

1997-03-24

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Heterojunction phototransistor

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Matériaux
Informatique [cs]/Modélisation et simulation
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Optique / photonique

Résumé en anglais : [en]

Heterojunction Phototransistors (HPTs) are promising devices for high-performance optical fibre telecommunication systems for digital or microwaves applications at long wavelengths (1.3 and 1.55 µm). They simultaneously ...
Lire la suite >Heterojunction Phototransistors (HPTs) are promising devices for high-performance optical fibre telecommunication systems for digital or microwaves applications at long wavelengths (1.3 and 1.55 µm). They simultaneously detect and amplify an optical signal, thus combining the functions of a PIN photodiode and a HBT. Unlike avalanche photodiodes (APD), they exhibit an internal gain owing to transistor effect without high bias voltage and excess noise due to avalanching.We present the study, the realisation and the characterisation of edge-coupled waveguide InGaAs/InP heterojunction phototransistor (unlike most of the phototransistors which are top-illuminated). Such a structure can absorb light efficiently and be used for microwave and millimetre wave applications.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL