Analysis of the gate-size dependence of ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Analysis of the gate-size dependence of microwave detection with GaN-based HEMTs
Auteur(s) :
Paz-Martínez, Gaudencio [Auteur]
Departamento de Fisica Aplicada [Salamanca]
Mateos, Javier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Artillan, Philippe [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC ]
Centre National de la Recherche Scientifique [CNRS]
Centre de Radiofréquences, Optique et Micro-nanoélectronique des Alpes [CROMA]
Université Savoie Mont Blanc [USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry]]
Rochefeuille, Edouard [Auteur]
Centre de Radiofréquences, Optique et Micro-nanoélectronique des Alpes [CROMA]
González, Tomás [Auteur]
Íñiguez-De-La-Torre, Ignacio [Auteur]
Universidad de Salamanca [España] = University of Salamanca [Spain]
Titre de la manifestation scientifique :
14th Spanish Conference on Electron Devices (CDE'23)
Ville :
Valencia
Pays :
Espagne
Date de début de la manifestation scientifique :
2023-06-06
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL