Titre :

Nonlinear Modeling of CMOS Compatible SiN/AlN/GaN MIS-HEMT on 200mm Si Operating at mm-Wave Frequencies

Auteur(s) :

Fouzi, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Morvan, E. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Gobil, Y. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Morisot, F. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Okada, Etienne [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

2024 19th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)

Ville :

Paris

Pays :

France

Date de début de la manifestation scientifique :

2024-09-23

Éditeur :

IEEE

Mot(s)-clé(s) en anglais :

GaN
MIS-HEMT
nonlinear model
power amplifiers

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

The performance of a CMOS-compatible SiN/AlN/GaN MIS-HEMT on 200mm Silicon substrate with high power capabilities in Ka band is evaluated. The devices show an F t /F max of 80/170 GHz for 2x50x0.15 µm 2 topology, along ...
Lire la suite >The performance of a CMOS-compatible SiN/AlN/GaN MIS-HEMT on 200mm Silicon substrate with high power capabilities in Ka band is evaluated. The devices show an F t /F max of 80/170 GHz for 2x50x0.15 µm 2 topology, along with outstanding and competitive large signal performance compared to GaN/SiC at 40 GHz. The devices demonstrate a power added efficiency PAE of 40% and an output saturated power (Psat) of 6.6 W/mm. To fully benefit from the capabilities of this new technology, an empirical Angelov model was modified to accurately describe the electrical behavior of the devices. The proposed model is validated through 40 GHz load pull measurement/simulation comparison and will be used in designing next MMIC PA (Power Amplifiers) dedicated to Ka-Ku band applications.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet Européen :

IPCEI ME/CT

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL