Titre :

Experimental phase-advance in woven textile metasurface

Auteur(s) :

Burgnies, Ludovic [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Université du Littoral Côte d'Opale [ULCO]
Cochrane, Cédric [Auteur]
Génie des Matériaux Textiles - ULR 2461 [GEMTEX]
Rault, François [Auteur]
Génie des Matériaux Textiles - ULR 2461 [GEMTEX]
Sadaune, Veronique [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lheurette, Eric [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Koncar, Vladan [Auteur]
Génie des Matériaux Textiles - ULR 2461 [GEMTEX]
Lippens, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

Applied Physics Letters

Éditeur :

American Institute of Physics

Date de publication :

2015-11-16

ISSN :

0003-6951

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

Transmission with phase advance is experimentally evidenced in a woven metasurface made of metallic wires and dielectric yarns. Similar to the negative refraction in metamaterials, phase advance is analyzed with a retrieval ...
Lire la suite >Transmission with phase advance is experimentally evidenced in a woven metasurface made of metallic wires and dielectric yarns. Similar to the negative refraction in metamaterials, phase advance is analyzed with a retrieval procedure of effective medium parameters. It is shown that a quasi-unitary transmission level can be achieved below the magnetic plasma frequency with a phase advance in a propagation regime for which both effective permittivity and permeability exhibit negative values. By stacking two metasurfaces with metallic wires woven in orthogonal directions, the phase advance is maintained and a polarization insensitive woven metamaterial is achieved.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL

Date de dépôt :

2025-03-20T05:52:42Z