Recherche
Résultats 1-3 de 3
-
Analysis of trap states in AlGaN/GaN self-switching diodes via impedance measurements
31st European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, ESREF 2020, Athens, 04-10-2020, Microelectronics Reliability; Microelectron. Reliab. 114, Special issue (2020), Microelectron. Reliab. 114, Special issue (2020), Elsevier, 10-2020Communication dans un congrès avec actestexte intégral -
Degradation of InGaN-based MQW photodetectors under 405 nm laser excitation
European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis 2017, Bordeaux, 25-09-2017, Microelectronics ReliabilityCommunication dans un congrès avec actestexte intégral -
Linearity and robustness evaluation of 150-nm AlN/GaN HEMTs
30th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, Toulouse, 23-09-2019, Microelectronics Reliability, 2019 ESREF proceedingCommunication dans un congrès avec actestexte intégral